北京密云求购MC系列芯片上门回收ATMEGA2561V-8AU由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:以上只是基本原理，具体实现，还有考虑待测电流的大小，把它分成不同的档位，同时考及过流保护，具体实用电路如下：实用电路中分成了200u2m20m200m10A等档位，不同档位所串联的采样电阻值不相同，原则是小电流档位采样电阻值大，大电流档位采样电阻值小。采样电阻的大小会对待测电路的电生一定的影响，实际使用要估算电流的大小，选取适合的档位才能减小测量的误差。考虑到使用者可能会接错档位，发生过流烧毁采样电阻，设计中加入了二极管D1和D2和采样电阻并联，采样电阻电流过大时，电压升高，当电压高压二极管导通电压时，二极管导通分流采样电阻的电流，防止电流过大烧毁采样电阻。